近日，美光在其投资人与财经分析师电话会议上透露，已开始向客户送样首批采用1γ（1-gamma）制程技术生产的LPDDR5X存储器芯片。

美光的1γ制程技术属于其第6代10纳米级生产节点，相较于前一代1β（1-beta）制程，功耗降低20%，性能提升15%，位元密度更是提高了30%。这些进步不仅提升了芯片性能，还显著降低了生产成本。据美光执行长桑贾伊·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）透露，1γ制程节点的良率提升速度已超越1β节点的纪录，展现了美光在技术上的领先优势。

值得注意的是，美光是最后一个采用EUV微影技术生产1γ制程的主要DRAM制造商。尽管美光尚未透露具体使用EUV技术的层数，但预计将EUV应用于最复杂的生产层。该制程结合了EUV与传统的深紫外光（DUV）多重图案化技术，同时引入了升级的高介电常数金属栅极（high-k metal gate）和重新设计的后段制程（BEOL）电路，进一步提升了芯片性能。

此次送样的LPDDR5X芯片并非美光首款1γ制程产品。今年早些时候，美光已推出16Gb DDR5-9200芯片，但未透露具体送样进度。未来，美光计划将1γ制程应用于DDR5、LPDDR5X（支持高达10.7 GT/s）、GDDR7以及数据中心优化产品等全系列存储器组合。

目前，美光正在日本生产1γ DRAM，并已在今年投入使用首台EUV设备。公司计划在日本和中国台湾扩大EUV产能，以满足高性能计算、人工智能及5G通信等领域对先进芯片的需求。