美光（Micron）近日宣布，其12层堆叠、容量达36GB的HBM4存储器已送样主要客户，并计划于2026年进入量产。

美光执行副总裁兼业务CEOSumit Sadana表示，AI技术的快速发展正在重塑存储器产业，并为行业带来巨大的增长机遇。美光持续提升HBM产能，其HBM业务的营收贡献和市场占有率均呈现显著增长。此前，美光预计其HBM市占率将在2025年下半年达到与整体DRAM市占率相当的水平，约为20%至25%。

Sadana还提到，美光在中国台湾设有重要的DRAM卓越中心，涵盖DRAM制造及封装技术，并与台积电建立了紧密的合作关系。此外，美光正在扩展其全球DRAM制造网络，包括在中国台湾和日本的晶圆厂，以及计划于2027年投产的美国爱达荷州晶圆厂。

美光还计划在新加坡扩增后端封装产能，以应对HBM未来的增长需求。HBM的封装工作将在中国台湾和新加坡两地进行。Sadana强调，美光的HBM3E产品在功耗方面较竞争对手低30%，成为其显著优势。同时，美光是目前全球唯一能够量产并出货LPDRAM至数据中心的公司。

美光科技资深副总裁兼云端存储器事业部门总经理Raj Narasimhan表示，HBM4的生产计划将与客户下一代AI平台的开发进度紧密结合，以确保无缝整合和及时扩产。HBM4存储器采用2048位元界面，每堆叠传输速率超过2.0TB/s，性能较上一代提升60%以上。此外，其能源效率提升逾20%，能够以更低的功耗提供更高的吞吐量，进一步提升数据中心的效率。

Sadana还透露，部分客户希望定制化存储器版本，美光正研发下一代HBM4E，并将与特定客户合作共同开发定制化HBM产品，以满足多样化需求。