三安光电在投资者互动平台披露了多项业务进展。湖南三安的碳化硅产品已实现向通合、科士达、致瞻等充电桩客户批量供货，同时向台达、光宝、长城、维谛技术等数据中心及AI服务器电源客户供货。此外，湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，已完成在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证。湖南三安还布局了氧化镓、金刚石等第四代半导体材料的研发。

据三安光电介绍，湖南三安已拥有6英寸碳化硅配套产能16,000片/月，8英寸碳化硅衬底产能1,000片/月、外延产能2,000片/月，8英寸碳化硅芯片产线正在建设中。安意法已于2025年2月实现通线，首次建设产能2,000片/月；重庆三安首次建设产能2,000片/月，已开始逐步释放产能。12英寸碳化硅衬底正在开发中。

时代电气表示，公司拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。

目前，公司SiC第四代沟槽栅产品已完成设计定型，达行业先进水平，第五代SiC技术也已完成布局。重点产品包括3300V高压平面栅SiCMOSFET、1200V精细平面栅SiCMOSFET、1200VSBD等，1200V沟槽栅SiCMOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。公司SiCMOSFET覆盖650V-6500V电压等级，适合高频/大功率密度系统要求，可广泛应用于新能源汽车、不间断电源（UPS）、风力发电、光伏逆变器、铁路运输、工业、智能电网等领域。