据韩媒每日经济报导，2025年全球最大NAND Flash技术盛会FMS（the Future of Memory and Storage）近日在美国加州举行。三星电子与SK海力士在会上并列发表专题演讲，分别展示了各自在人工智能（AI）时代存储技术领域的发展方向。

SK海力士副社长兼HBM事业负责人崔俊龙在演讲中指出，AI基础设施已进入电力受限的产业阶段。他强调，当前数据中心面临的挑战并非空间不足，而是电力供应问题。SK海力士此前发布的第六代高带宽存储器（HBM4）相比HBM3，带宽提升2倍，功耗效率最高提升40%。崔俊龙表示，HBM不仅是关键组件，更是决定AI基础设施电力与效能的核心。

随后，SK海力士副社长金天成进一步阐述了存储领域的“AI优化”策略。他提到，随着AI模型生成的Token数量在短时间内增长超过10倍，存储器和存储装置正以AI为中心进行重组。金天成还强调，传统的存储器、存储和运算独立运作的模式难以满足AI扩展需求，SK海力士将致力于整合三者，推动真正的AI全端系统（AI Full Stack System）的实现。

三星存储器事业部副社长林大贤则表示，AI代理在推理阶段需要存储更多状态和工具使用能力，这对存储装置的性能提出了更高要求。他认为，存储器和存储装置正变得更加先进和专业化，成为下一代智能基础设施的关键组成部分。

此外，三星持续看好CXL（Compute Express Link）存储器扩展技术的发展潜力。自2021年首次推出CXL产品以来，三星计划在2025年下半年发布新一代产品。林大贤指出，CXL存储器与HBM技术的进步将进一步提升AI模型的效能，并逐步成为AI基础设施的核心。

三星副社长吴和锡在演讲中展示了基于PCIe Gen6的SSD PM1763规格。该产品在25W功耗限制下，提供2倍效能和1.6倍电源效率，预计于2026年初上市。他还透露，未来散热技术将从气冷转向“浸润式冷却”方式，以应对更高性能需求。