6月12日，美光宣布已向多家主要客户送样其12层堆叠、容量达36GB的HBM4存储芯片。这款全新HBM4基于成熟的1β（1-beta）DRAM制程技术，采用12层先进封装工艺，并具备强大的存储内建自我测试（MBIST）功能。

据美光透露，随着生成式AI应用的快速发展，推理能力的有效管理变得愈发重要。HBM4存储芯片具备2048位元界面，每堆叠的传输速率超过2.0TB/s，性能相比前代产品提升超过60%。这一扩展界面能够实现高速通信和高吞吐量设计，从而显著提升大型语言模型和推理系统的运行效率。

美光科技资深副总裁兼云端存储事业部门总经理Raj Narasimhan表示：“美光HBM4以其卓越性能、更高频宽和行业领先的能源效率，展现了美光在存储技术领域的领导地位。在HBM3E取得重大突破的基础上，我们将继续通过HBM4及全面的AI存储解决方案推动创新。我们的HBM4生产计划与客户下一代AI平台的开发进度高度契合，确保无缝整合并及时满足市场需求。”