鸿海研究院半导体研究所近日宣布，其在AI服务器领域的两项研究成果获得国际认可，并被IEEE ISPSD 2025大会接受，计划于今年六月初在日本熊本市发表。

在单晶片整合电路关键技术方面，鸿海研究院半导体研究所所长郭浩中与萧逸楷博士联合阳明交通大学及中央大学，成功开发出基于自主研发的碳化矽制程技术。该技术克服了传统矽基电路在高温（超过150°C）环境下效能衰减的问题，适用于极端环境下的感测与控制系统。据研究团队介绍，该技术通过IGRL结构实现了更高的线性度与更广的输出电压范围，同时与现有碳化矽元件制程相容，无需额外制程步骤。

此外，研究团队还在高效电源控制技术领域取得突破，开发出一款整合Burst Mode控制与Soft-Start功能的LLC谐振转换器控制器。该控制器能够有效降低轻载功耗，并提升系统启动稳定性，为AI服务器的高效运行提供支持。

鸿海研究院在AI加速碳化矽技术开发的基础上，与高校展开跨校合作，结合鸿扬半导体碳化矽制程代工平台，推动了单晶片整合电路技术及LLC控制器技术的研发。这些成果不仅展现了碳化矽技术在高温环境下的优异性能，还为AI服务器的效能提升提供了创新解决方案。

据鸿海研究院透露，该单晶片整合电路技术可在300°C环境下稳定运作，突破了传统矽电路的高温限制，为极端环境应用提供了可靠的技术支持。