据业内透露，国产存储厂商长鑫存储（CXMT）已重启大规模设备投资计划，目标是引进大量新设备以扩大产能，量产最新的DRAM DDR5产品，并在此基础上开发HBM3高带宽内存。
据消息人士透露，长鑫存储计划从第三季度开始向设备供应商下订单，用于在安徽省合肥市的生产基地建设新产线。此前，长鑫存储曾计划从年初开始采购新设备以提升产能，但由于DDR4停产以及美国可能实施更严格的出口限制，设备进厂计划被迫推迟。
预计到2026年，长鑫存储的HBM产能将达到每月5万片晶圆，相当于三星和SK海力士2026年HBM产能的20%~25%。而在2025年第一季度，长鑫存储的DRAM产能已占据全球市场约6%的份额。
受美国对华出口限制影响，中国大陆在获取HBM3及更高端产品方面面临挑战。据英国《金融时报》报道，在中美贸易谈判中，中方已要求美方放宽对HBM的出口管制。
在此背景下，长鑫存储正加速推进HBM的国产化进程。目前，该公司已完成HBM2的开发，并正在加快HBM3的研发与量产工作。为集中资源，长鑫存储已停产DDR4，并将原有DDR4设备升级至DDR5产线。由于美国可能将长鑫存储列入实体清单，其设备进口计划再度延期。
市场分析指出，长鑫存储在HBM技术上仍落后于SK海力士和三星等厂商。目前，三星和SK海力士已采用10纳米级1b制程生产HBM3e，并计划利用1c制程生产HBM4。业内人士认为，长鑫存储的HBM产品商业化仍需较长时间，预计对2026年的HBM市场影响有限。
