据TrendForce集邦咨询预估，GaN功率器件市场规模将从2024年的3.9亿美元增长至2030年的35.1亿美元，年复合增长率高达44%。这一增长得益于GaN材料在高频、高效和小型化电源应用中的显著优势，推动多个领域进入技术革新阶段。

GaN重点潜力应用包括AI数据中心、人形机器人、汽车车载充电器（OBC）以及光伏微型逆变器等。

在AI数据中心领域，英伟达正推动800V高压直流（HVDC）电力基础设施转型，以支持2027年起功率超过1MW的IT机架。GaN高频高效的特点，完美契合AI硬件对高功率密度和散热优化的需求，多家GaN厂商已宣布与英伟达达成合作。

人形机器人正从实验室迈向商业化，其关节电机控制系统需要高精度、快速响应和紧凑设计，GaN技术成为关键解决方案之一。多家厂商已推出基于GaN的人形机器人关节电机驱动参考设计，助力实现高效运动控制。

在汽车市场，GaN作为继Si和SiC之后的新兴技术选项，正在推动车载充电器（OBC）向更轻、更小的方向发展。GaN技术的应用显著提升了OBC的功率密度和效能。尽管牵引逆变器领域仍面临挑战，但GaN在高效率、小型化和轻量化方面的优势，使其成为提升电动汽车性能和续航里程的重要技术。

随着GaN技术的成熟和规模化生产推进，晶圆尺寸将逐步转向8英寸和12英寸，制造成本进一步降低。这将使GaN在更多成本敏感型市场中具备竞争力，并逐步接近硅器件的成本，加速其在下游多领域的渗透。

总体来看，功率GaN市场已度过技术验证和市场导入阶段，进入由成本效益驱动的黄金增长期。未来几年，GaN技术将在数据中心、电动汽车、机器人和可再生能源等领域实现大规模部署。