罗姆加速SiC功率半导体研发,应对中国厂商竞争
来源:万德丰 发布时间:1 天前
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据报道,日本罗姆半导体(Rohm)尽管在2025财年第一季度(2025年4月至6月)营业利润大幅下滑,但仍决定加快推出新一代碳化硅(SiC)功率半导体产品,以应对中国厂商的快速追赶。
据日刊工业新闻和日经新闻报道,罗姆在该季度的营收为1162.05亿日元(约合7.87亿美元),同比下降1.8%;营业利润仅为1.95亿日元,同比骤降84.6%;净利润为29.66亿日元,同比减少14.3%。尽管营业利润大幅缩水,但公司成功扭亏为盈,结束了连续三个季度的亏损局面。这主要得益于日元贬值超出预期,以及美国关税政策带来的抢单效应。
从应用领域来看,汽车和工业设备的销售额分别下降了7%和5%。由于市场需求疲软,罗姆预计2025财年的资本支出将比前期减少36%,降至850亿日元,折旧费用预计减少26%,为616亿日元。近年来,罗姆在日本宫崎县国富町建设了新的功率半导体工厂,但目前投资力度已有所减弱。
与此同时,新工厂已进入SiC基板试产阶段,并计划于2026年春季开始量产SiC功率半导体。罗姆还宣布加速新一代产品的推出时间表,第六代产品将提前至2027年上市,而第七代产品则从原定的2029年提前至2028年。
罗姆功率半导体业务负责人伊野和英表示,若无法比中国厂商更快完成开发,将难以在竞争中胜出。他指出,中国厂商在SiC基板性能上已达到顶级水平,虽然整体技术仍落后约一个世代,但不容小觑。
罗姆计划在2025年内提供第五代SiC Mosfet的样品用于质量评估,同时第八代产品的研发已进入模拟设计阶段。值得一提的是,罗姆采用奇数代与偶数代分别由不同团队负责的开发模式,通过内部竞争提升研发效率。这种模式在存储器和处理器开发中较为常见,但在功率半导体等分立器件的研发中较为罕见。
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