据韩媒韩联社、inews 24等援引三星电子财报，2025年第二季度，三星电子交出了一份低于市场预期的成绩单，其半导体暨装置解决方案（DS）部门表现不佳成为主要原因之一。尽管如此，三星仍通过公布高带宽存储器（HBM）和先进制程相关进展，展现出对2025年下半年业绩反弹的信心。

数据显示，三星DS部门2025年第二季度营收约为27.9万亿韩元（约合201亿美元），同比减少2%，环比增长11%；营业利润为4000亿韩元，创下自2023年第四季度以来的最低纪录，与2024年同期相比大幅缩水超过6万亿韩元。

业绩低迷的主要原因包括约1万亿韩元的存货资产准备金、NAND Flash市场疲软以及晶圆代工业务持续亏损。据证券业界估算，虽然存储器业务实现了约3万亿韩元的营业利润，但系统LSI和晶圆代工部门却出现了超过2万亿韩元的营业亏损。

相比之下，竞争对手SK海力士在2025年第二季度的营业利润达到9.2万亿韩元，是三星DS部门营业利润的23倍。

对于未来，三星将2025年下半年视为业绩反弹的关键时期，并针对存储器、晶圆代工和系统LSI三大业务提出展望。存储器业务方面，得益于HBM3E销售扩大和高容量DDR5产品占比提升，三星计划进一步提高HBM3E销量，并实现HBM业务的正常化。

据三星透露，HBM销量环比增长约30%，其中HBM3E在HBM总销量中的占比已超过80%。公司计划通过扩大高利润的HBM3E销售改善业绩，预计2025年下半年HBM3E的销售占比将突破90%。此外，三星已完成HBM4的开发，并向主要客户提供了样品，预计将在下半年实现量产。

晶圆代工部门则计划以与Tesla签订的大规模长期半导体供应合同为契机，拓展更多大型科技客户。三星预计从2026年起，在美国泰勒工厂以2纳米制程生产Tesla的次世代自动驾驶芯片AI6。

系统LSI部门则将重点提升Exynos芯片的竞争力。继为Galaxy Z Flip 7供应Exynos 2500后，三星计划在2025年下半年以2纳米制程量产Exynos 2600，并将其搭载于预计于2026年初发布的Galaxy S26系列中。