据韩媒Deal Site援引业界消息，三星电子正加速推进韩国平泽园区第四工厂（P4）第四阶段（PH4）的复工进程。三星计划自2025年8月起派遣人员展开前期作业，并于11月正式动工，较原计划提前约1个月。此举旨在为10纳米级第六代1c DRAM的量产铺路。
近期，三星已与旗下三星物产（Samsung C&T）及三星E&A等关联企业签署平泽四厂第四阶段收尾工程的合约，总金额超过2.7万亿韩元（约合19.5亿美元），工程期限至2027年7月31日。平泽园区相关人士透露，技术人员将于2025年12月大规模投入，但前期作业将从8月开始。
三星正全力筹备第六代高带宽存储器（HBM4）的量产，1c DRAM将应用于12层HBM4中。尽管三星计划通过NVIDIA的12层HBM3E品质测试，但即便进入供应链，预计也难以获得大量订单。因此，HBM4被视为三星重夺HBM市场主导权的关键。
韩国半导体业界人士透露，三星已将HBM4的量产准备批准（PRA）时间设定在2025年第4季，但实际量产可能推迟至2026年。三星官方则仍以2025年下半年量产为目标。
此前，三星因技术未成熟而推迟平泽四厂第四阶段的投资与收尾工程。然而，近期1c DRAM重新设计取得部分进展，可能促使复工计划加速推进。业界氛围显示，三星正全力冲刺HBM4战局。
