盛美半导体设备（上海）股份有限公司（科创板股票代码：688082）近日宣布，对其Ultra C wb湿法清洗设备进行了重大升级。

据公司介绍，升级后的Ultra C wb设备采用了正在申请专利的氮气（N2）鼓泡技术。这一技术显著改善了湿法刻蚀均匀性差和副产物二次沉积的问题，这些问题在高深宽比沟槽和通孔结构的传统磷酸湿法清洗工艺中尤为突出。新技术不仅提升了磷酸传输效率，还优化了湿法刻蚀槽内的温度、浓度和流速均匀性，从而有效防止副产物在晶圆微结构内的积聚。盛美上海总经理王坚表示，性能提升始终是公司的首要目标，而氮气鼓泡技术的应用显著增强了设备的工艺性能。

升级版设备具备多项新特性和优势。首先，其湿法刻蚀均匀性较传统设备提升了50%以上，显著改善了晶圆内及晶圆间的工艺一致性。其次，该设备在先进节点工艺中表现出卓越的颗粒去除能力，能够高效清除特殊磷酸添加剂的有机残留物。此外，其清洗台模块已通过三道先进节点工艺验证，包括叠层氮化硅蚀刻、沟道孔多晶硅蚀刻以及栅极线钨蚀刻，兼容多种化学药液，如磷酸、H4刻蚀液、四甲基氢氧化铵（TMAH）等。目前，更多工艺及应用方案正在客户工厂开发中。

值得一提的是，盛美上海的氮气鼓泡设计拥有自主知识产权，可生成均匀分布的大尺寸气泡，且气泡密度精准可控。这一核心技术未来还可应用于公司的Ultra C Tahoe平台，为客户提供更全面的工艺解决方案。