据台积电透露，其2纳米（N2）制程技术在头两年的产品设计定案数量，预计将超过3纳米和5纳米同期表现。台积电在法说会上表示，N2制程相较于N3E，在相同功耗下速度提升10~15%，在相同速度下功耗降低25~30%，芯片密度增加超过15%。N2计划于2025年下半年如期进入量产，其量产曲线与N3相似。

此外，台积电还推出了N2P制程技术，具备更优的性能和功耗表现，预计在2026年下半年量产。同时，采用超级电轨（Super Power Rail；SPR）的A16制程技术也将在2026年下半年量产。A14技术则计划于2028年量产，相较于N2，在相同功耗下速度提升10~15%，功耗降低25~30%，芯片密度提升约20%。

台积电的全球布局也在加速推进。据台积电透露，其在美国亚利桑那州的投资计划总额达1,650亿美元，首座晶圆厂已采用N4制程技术于2024年第四季度成功量产，第二座晶圆厂则采用3纳米制程技术完成建设。第三座晶圆厂已开始动工，采用N2和A16制程技术，并将根据客户需求考虑加快生产进度。

在日本，台积电位于熊本的第一座特殊制程晶圆厂将于2024年底以优异良率开始量产，第二座晶圆厂计划于2025年稍晚动工。在欧洲，台积电正按计划在德国德勒斯登建设特殊制程技术晶圆厂，进展顺利。在中国台湾，台积电计划未来数年在新竹和高雄科学园区建设多座2纳米晶圆厂及先进封装设施，以满足客户强劲需求。

台积电表示，其在美国的拓展计划将形成一个超大晶圆厂（GIGAFAB）聚落，并计划建设2座先进封装设施及一间研发中心，完善AI供应链。预计2纳米及更先进制程产能中，约30%将来自亚利桑那州晶圆厂。