据Counterpoint预测，长鑫存储在DDR5和LPDDR5市场的表现尤为突出，其DDR5市场份额将从年初的不到1%提升至年底的7%，LPDDR5市场份额则从0.5%激增至9%。与此同时，长鑫存储的整体DRAM出货量预计在今年同比增长50%，在整体DRAM市场的出货份额将从第一季度的6%提升至第四季度的8%。

据TrendForce最新报告显示，中国半导体企业在DRAM和NAND存储器合并市场的出货量份额在今年第三季度预计将达到10.1%。这是中国半导体企业首次突破10%的市场份额。自去年第二季度首次超过5%门槛（5.4%）以来，仅用一年时间，市场份额几乎翻倍。

长鑫存储不仅在传统产品DDR4和LPDDR4上提升产量，还在DDR5和LPDDR5等新一代产品上实现了显著增长。然而，该公司在尖端DRAM制造所需的高k金属栅极工艺方面仍面临技术挑战。这一工艺是解决精细工艺中漏电流问题的关键技术。

目前，DRAM市场主要由三星电子和SK海力士等韩国企业主导，但长鑫存储正在快速扩大其市场份额，成为不可忽视的竞争者。