据韩媒Chosun Biz援引业界消息，三星电子与SK海力士正加速推进4F Square DRAM的研发进程，预计在2025年内完成初阶原型并启动性能验证。这一技术将传统的平面DRAM结构改为垂直配置，为未来3D DRAM的开发奠定基础。

目前，三星、SK海力士与美光等厂商正在10纳米级DRAM领域展开激烈竞争。然而，随着制程进入10纳米以下，技术难度和成本显著增加，这使得DRAM结构的转型变得尤为重要。4F Square DRAM通过缩小存储单元面积（从传统的6F Square改为4F Square），不仅提高了集成度，还优化了性能与能效。

三星计划在第7代10纳米级DRAM后推出4F Square架构产品，而SK海力士则会在更晚阶段跟进。相比之下，美光选择跳过4F Square，直接投入3D DRAM的研发。若各厂商按计划推进，预计3年内垂直结构DRAM将进入量产阶段，其性能有望比现有产品提升近50%。