据Wccftech报道，英特尔一名匿名董事近日在投资研究平台Tegus上表示，环绕闸极场效晶体管（GAAFET）和互补式场效晶体管（CFET）等新型晶体管设计，有望降低高端芯片制造对先进微影设备的依赖。这一技术趋势将使芯片制造更注重微影后的加工步骤，例如蚀刻技术，而非仅仅依赖微影设备。

该董事指出，GAAFET和CFET设计通过从四面“包裹”闸极，显著提升了晶体管的性能。然而，这也对去除晶圆上多余材料提出了更高要求。特别是在“横向”去除多余材料的过程中，芯片制造商需要投入更多精力优化蚀刻技术，而不是单纯依靠增加晶圆在微影设备上的曝光时间来缩小特征尺寸。

这一技术转变意味着，高数值孔径极紫外光（EUV）微影设备在未来高端芯片制造中的核心地位可能被削弱。与目前7纳米及更先进制程中EUV设备的重要性相比，新型晶体管设计将减少对最小特征尺寸的依赖，同时通过垂直堆叠实现更高密度的集成。

该董事还提到，尽管微影设备在芯片制造中仍不可或缺，但随着新型晶体管设计的普及，芯片制造的其他环节将变得更为关键。这种变化或将对半导体行业设备需求和技术发展方向产生深远影响。