6月17日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）正式推出基于砷化镓（GaAs）的高速和阵列光电探测器（PD）工艺平台。

新微半导体自成立以来，专注于为功率和光电两大应用领域提供晶圆代工及相关服务。除了此次发布的砷化镓光电探测器工艺平台，公司还拥有基于3/4英寸磷化铟（InP）材料的全系列光电工艺解决方案，以及氮化镓（GaN）功率器件制造平台。其产品广泛应用于通信、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等多个终端领域。

据公司介绍，该平台采用4英寸GaAs/AlGaAs异质结外延技术，并结合深台面刻蚀、侧壁钝化及BCB/PBO平坦化等关键工艺，具备低暗电流、低电容、高响应度、高带宽及高可靠性等优异特性。其代工产品能够在-40℃至85℃的宽温范围内稳定运行，确保设备在极端环境下的性能一致性，为终端设备的可靠性提供保障。

在可靠性验证方面，该平台的代工产品已通过Telcordia GR468标准测试，涵盖HTOL（高温工作寿命）、ESD（静电放电）、T/C（温度循环）及THB（高温高湿寿命）等关键测试项目。在175℃的HTOL测试及THB（温度85℃、湿度85%RH）测试环境中，施加-5V偏置电压条件下，三批产品（抽样标准77颗样品）经过2000小时老化后均实现零失效，满足通信级可靠性要求。

图源：新微半导体