摩尔定律正逼近物理极限，全球半导体技术研发进入深水区。在此背景下，中国科学院微电子研究所研究员、中国半导体协会副理事长叶甜春提出“中国特色摩尔定律”的构想，试图通过非对称创新在技术新赛道实现弯道超车。

传统摩尔定律推动晶体管密度每两年翻倍，但随着制程进入2纳米以下，成本与技术复杂度急剧上升，良率与经济性受限。面对这一挑战，产业开始转向GAA晶体管、3D整合、全空乏绝缘上覆矽（FDSOI）、光子芯片与量子计算等新领域。这些技术对设备提出更高要求，同时也为中国提供了技术突破的机会。

叶甜春建议，中国应以“非对称技术”策略切入相对空白的领域，发展适合本土市场需求的设计架构、新材料与新制程。例如，FDSOI相较于FinFET，结构更简单、功耗更低，对曝光设备依赖减少1~2代，对中国设备商而言门槛更低。此外，FDSOI对材料与封装依赖较低，中国已有部分本土供应链，具备进军中高端芯片的潜力。

GAA与3D IC虽仍处于技术验证阶段，但尚未形成全球垄断局面，中国仍有抢占先机的机会。同时，若中国半导体企业专注于原子级蚀刻、共形掺杂、3D封装等核心制程设备，可能在新赛道中实现技术突破。

设备创新被视为上游破局的关键。据公开资料显示，国内设备厂商如北方华创、中微、拓荆科技已在原子层沉积（ALD）、原子层蚀刻（ALE）、化学机械研磨（CMP）等关键设备领域取得进展，部分产品已获本土晶圆厂采用，形成设备与IC制造协同发展的生态体系。