6月5日下午4点，无锡光量子芯片中试平台成功下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆。据无锡滨湖发布消息，这是我国首条光子芯片中试线，同时实现了超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产。

光量子芯片作为光量子计算的核心硬件载体，其产业化发展对我国在量子信息领域实现自主可控具有重要意义，也是抢占全球量子科技竞争制高点的关键支撑。然而，由于共性关键工艺技术平台的缺失，我国光量子技术长期面临“实验室成果难以量产”的瓶颈问题，成为制约产业发展的“卡脖子”难题。无锡光量子芯片中试平台的启用，为这一问题提供了有效的解决方案。

据悉，上海交大无锡光子芯片研究院于2022年底启动建设，并率先推进国内首条光子芯片中试线的布局。2023年10月，研究院大楼顺利封顶。2024年1月，中试线首批关键设备进场，同年9月，集光子芯片研发、设计、加工和应用于一体的无锡光量子芯片中试平台正式投入运行。

平台负责人介绍称：“一片直径6寸的晶圆可切割出350颗芯片。在滨湖达产后，无锡光量子芯片中试平台将具备年产1.2万片薄膜铌酸锂晶圆的量产能力。”