近日，瞻芯电子与浙江大学在一场行业会议上共同发布了10kV等级碳化硅（SiC）MOSFET芯片的最新研究成果。
此次发布的10kV等级SiC MOSFET芯片基于浙江瞻芯SiC晶圆厂的第三代平面栅工艺平台生产，单芯片尺寸达到10mm x 10mm，单芯片导通电流接近40A，击穿电压超过12kV，成为目前公开发表的最大尺寸10kV等级SiC MOSFET芯片。其核心性能指标比导通电阻（Ron.sp）小于120mΩ・cm²，接近碳化硅材料的理论极限。
图源：瞻芯电子
在制造工艺上，该芯片采用了高能离子注入技术，并结合窄JFET区域设计，有效解决了高压SiC器件在击穿电压和导通电阻之间的矛盾。在设计层面，通过优化高压终端结构，显著提升了芯片终端效率并降低了制造难度。
瞻芯电子成立于2017年，专注于碳化硅半导体领域，致力于开发碳化硅功率半导体和芯片产品，为客户提供一站式解决方案。目前，公司已成功掌握6英寸碳化硅MOSFET产品及工艺平台，并建成一座车规级碳化硅晶圆厂。
