据消息透露，6月6日，日本NAND闪存制造商铠侠发布了一项中长期业务规划，计划在未来五年内将其NAND闪存产能提升至当前水平的两倍。这一扩产计划旨在满足人工智能数据中心对存储需求的快速增长。
铠侠的扩产计划包括在日本四日市和北上工厂扩大产线投资。到2029财年，公司计划实现NAND闪存产能较2024财年翻番。此举是为了应对全球AI基础设施建设对存储需求的激增，特别是在大模型训练、边缘计算及高性能计算等领域对高速、高密度存储方案的更高要求。
此外，铠侠计划于2026年下半年开始量产下一代存储技术产品。虽然公司尚未披露具体技术细节，但业内普遍认为这可能涉及更高堆叠层数的3D NAND或其他先进架构，旨在提升性能并降低成本。
此前NAND市场因供需失衡经历了价格下跌与减产调整。如今，随着AI应用的带动，市场需求明显回升，促使头部厂商重启扩产节奏。世界半导体贸易统计组织(WSTS)预测，2025年全球存储器市场规模有望同比增长16.2%，其中NAND闪存将成为主要增长动力之一。
然而，分析人士也指出潜在风险：若未来几年AI发展不及预期或终端市场需求放缓，可能再次引发产能过剩风险。如何在扩张与市场变化之间保持平衡，将是包括铠侠在内的存储企业面临的重要课题。
