据日经新闻、东京电视台报道，日本软银与英特尔共同成立了一家名为Saimemory的新公司，专注于开发低功耗AI用存储器。这一计划旨在研发能够替代高带宽存储器（HBM）的新型存储器，目标是实现存储容量翻倍、耗电量减少40%，同时大幅降低成本。新公司计划于2025年7月正式启动运营，软银、英特尔与东京大学将分别担任财务、技术及科技总监等关键职位。

据韩国中央日报援引业内人士分析，Saimemory的研发方向可能与现有HBM结构不同，目标是开发堆叠型DRAM芯片，从而开辟一个与韩国厂商主导的HBM市场形成差异化的新领域。目前，韩国的SK海力士与三星电子在HBM市场占据90%的份额，但新型存储器一旦成功量产，可能对现有市场格局产生冲击。

Saimemory的新型存储器设计完成后将委托外部代工生产。外界猜测，初期可能由中国台湾厂商代工，后续或由日本Rapidus接手，甚至美光也可能参与。对此，软银半导体开发部门负责人丹波广寅仅表示，具体代工安排将视技术开发进展而定。

日本政府对半导体产业的重振计划提供了大力支持。据透露，到2030年前，日本政府计划向半导体与AI领域投入至少10万亿日元的公共资金。其中，Rapidus已获得总计1.8225万亿日元的补助与投资。与此同时，软银也将在日本政府提供约45%补贴的条件下，建设一座投资规模达650亿日元的大型数据中心。